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NG体育存储芯片风云:涨价与国产崛起HBM领衔

发布时间:2024-09-08 20:52浏览次数: 来源于:网络

  NG体育娱乐】在 AI 风靡的当下,数据规模爆发式增长,存储芯片作为数据关键承载者价值上扬。存储芯片产品品类众多,其盈利状况成为业界焦点,为此需先对产品品类细分。 存储芯片按功能NG体育、读取数据方式及数据存储原理,可分为易失性存储芯片和非易失性存储芯片(ROM)NG体育。RAM 断电后数据丢失,用于临时存储,代表产品有 DRAM 和 SRAM。ROM 断电仍能长期存数据,适用于存储程序代码和用户数据,代表产品为 NAND Flash 和 NOR Flash。从全球看,存储芯片市场以 DRAM 和 NAND Flash 为核心,二者市场份额超 90%,NOR Flash 占比约 3%,其他类型约 2%。 DRAM 即动态随机存取存储器,是常见系统内存,需定时刷新。按产品分类,DRAM 主要有 DDR、LPDDR、GDDR 及新型存储 HBM。DDR 适用于高性能计算设备,LPDDR 适合移动设备,GDDR 专为数据密集型应用设计,HBM 在带宽、功耗等方面优势明显。从市场看,DRAM 分主流和利基型NG体育,主流玩家为三星、美光和海力士,中国大陆头部公司有进展,利基型玩家分散。 Flash 主要分 NOR Flash 和 NAND Flash。NAND Flash 是非挥发性存储技术,优势众多,按技术类型分有 SLC、MLC、TLC 和 QLC,按产品应用分,NAND Flash 颗粒用于固态硬盘等。全球 NAND Flash 厂商集中,竞争格局稳定。NOR Flash 有自身特点,虽有缺点但难以淘汰,应用领域广泛,竞争格局相对集中。 DRAM 产品中,DDR4、DDR5 涨势明显,HBM 最为迅猛。2024 年 Q1DRAM 产业主流产品合约价上扬,带动营收增长,Q2 延续增长NG体育。DDR 不同系列今年上半年涨价,DDR3 因供给减少和需求增加涨价,华邦计划跟进。DDR4 和 DDR5 是涨价主力,LPDDR 和 GDDR 受影响价格上涨。 NAND Flash 产品中,SSD 连续四季度涨价。2024 年 Q1NAND Flash 量价齐扬,产业进入上行周期,合约价上涨。SSD 涨价明显,企业级 SSD 二季度涨幅高,消费级 SSD 也涨价,eMMC/UFS 预计涨价较温和。Nor Flash 产品上半年试探性涨价,中容量涨幅大。 DRAM、NANDFlash 和 NOR Flash 盈利能力受多种因素影响,今年上半年 HBM 盈利能力最强,因其需求增长和供应有限,价格上涨,存储三巨头供应紧张。DDR5 也有优势,性能功耗优,市场需求增长NG体育,产品升级且价格上涨。 国内存储厂商参与生产的存储芯片产业主要为 DRAM 和 NAND Flash,今年在需求推动下,行业景气度攀升。上半年,A股 存储芯片赛道上市公司业绩整体高增长,多家公司表现出色。随着新兴技术发展,存储芯片需求持续增长,高性能产品有发展空间,国产公司面临机遇挑战。

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